Транзистор FQPF7N80C

Описание товара

Наименование прибора: FQPF7N80C Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W |Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V |Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 5 V |Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A Tj - Максимальная температура канала: 150 C Qg - Общий заряд затвора: 27 nC Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm Тип корпуса: TO220F

Характеристики

• _grouped[{'group': 'Дополнительная информация', 'options': [{'name': 'Страна производства', 'value': 'Китай'}]}, {'group': 'Габариты', 'options': [{'name': 'Длина упаковки', 'value': '15 см'}, {'name': 'Высота упаковки', 'value': '1 см'}, {'name': 'Ширина упаковки', 'value': '10 см'}]}]
• Брендбез бренда
• WB supplier_id1125312
• ПредметТранзисторы
• Название WBТранзистор FQPF7N80C
• Категория WBЭлектрика
• Длина упаковки15 см
• Высота упаковки1 см
• Ширина упаковки10 см
• Страна производстваКитай

Что известно о товаре

sm.ai показывает только доступные факты карточки: категорию, цену, рейтинг, отзывы и дату наблюдения. Параметры, которых нет в источнике, не дополняются предположениями.

Данные наблюдались: 2026-07-26T23:36:13.346711+03:00. Перед покупкой проверьте актуальные условия на странице площадки.